Частина 26: Високошвидкісні модулі OCZ серій Titanium та SLI-Ready (PC2-6400, PC2-7200 та PC2-8000)

Ми продовжуємо вивчення найважливіших характеристик високошвидкісних модулів DDR2 за допомогою універсального тестового пакету. Сьогодні ми розглянемо високошвидкісні пропозиції від компанії OCZ - три двоканальні 2-ГБ комплекти модулів пам'яті серій Titanium та SLI-Ready швидкісних категорій PC2-6400, PC2-7200 та PC2-8000:

• OCZ DDR2 PC2-6400 Titanium EPP-Ready (OCZ2T8002GK, DDR2-800 4-4-4-1T)
• OCZ DDR2 PC2-7200 SLI-Ready Edition (OCZ2N900SR2GK, DDR2-900 4-4-3-2T)
• OCZ DDR2 PC2-8000 Titanium Alpha VX2 (OCZ2TA1000VX22GK, DDR2-1000 4-4-4-2T)

Інформація про виробника модуля

Виробник модуля: OCZ Technology
Виробник мікросхем модуля: невідомий
Сайт виробника модуля: Зовнішній вигляд модулів

OCZ DDR2 PC2-6400

OCZ DDR2 PC2-7200

OCZ DDR2 PC2-8000

Part Number модулів

Посібник із розшифровки Part Number модулів пам'яті DDR2 на сайті виробника відсутній (в ході його вивчення було виявлено лише застарілий посібник, присвячений модулям пам'яті типу DDR). Тому обмежимося лише коротким описоммодулів, що представлені на сторінках відповідних продуктів.

OCZ DDR2 PC2-6400

Модулі підтримують стандарт EPP, що дозволяє досягти оптимальної продуктивності модулів на материнських платах із чіпсетами NVIDIA nForce 590 SLI. Вміст EPP запрограмований режим DDR2-800 з досить низькими таймінгами 4-4-4-1T, тобто. модулі здатні функціонувати при затримках командного інтерфейсу 1T (1 команда/1 такт), що збільшує продуктивність підсистеми пам'яті. Модулі оснащені тепловідведеннями XTC (Xtreme Thermal Convection) з титановим покриттям, що забезпечують ефективне відведення тепла.

OCZ DDR2 PC2-7200

Модулі також підтримують стандарт EPP, при цьому вміст цієї частини SPD запрограмований на режим DDR2-900 зі схемою таймінгів 4-4-3. Як стверджує виробник, дані модулі оснащені ексклюзивною системою тепловідведення NVIDIA XTC (з точки зору як ефективності, так і зовнішнього вигляду, "відповідного" рівню продуктивності модулів).

OCZ DDR2 PC2-8000

На відміну від перших двох представників, підтримка стандарту EPP у модулях відсутня. Модулі належать особливому сімейству модулів Voltage Xtreme, розрахованих на роботу при високій напругі живлення (що дозволяє досягти швидкостей, недоступних при звичайному рівні напруги). Ця модельрозрахована на режим DDR2-1000 при затримках 4-4-4, що досягається за рахунок підняття напруги живлення до 2.3В і позиціонується як high-end рішення для екстремальних геймерів і оверклокерів. Тепловідведення модулів XTC із застосуванням титанового покриття, стійкого до подряпин, також є ексклюзивним рішенням, цього разу – за своєю кольоровою гамою (див. фото). Кожен модуль Titanium Alpha має унікальну колірну гаму і змінює свій відтінок кольору в залежності від освітлення та кута огляду. Дані мікросхеми SPD модулів

Опис загального стандарту SPD:

Опис специфічного стандарту SPD для DDR2:

Опис стандарту EPP:

OCZ DDR2 PC2-6400

Параметр	Байт	Значення	Розшифровка
Фундаментальний тип пам'яті	2	08h	DDR2 SDRAM
	3	0Eh	14 (RA0-RA13)
	4	0Ah	10 (CA0-CA9)
	5	61h	2 фізичні банки
	6	40h	64 біт
Рівень напруги живлення	8	05h	SSTL 1.8V
	9	25h	2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфігурації модуля	11	00h	Non-ECC
	12	82h
	13	08h	x8
	14	00h	НЕ визначено
	16	0Ch	BL = 4, 8
	17	04h	4
	18	38h	CL = 5, 4, 3
	23	30h	3.00 нс (333.3 МГц)
	25	37h	3.70 нс (270.3 МГц)
	27	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3
	28	28h	10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3
	29	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3
	30	25h	37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3
	31	80h	512 МБ
	36	3Ch	15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3
	37	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3
	38	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3
	41, 40	37h, 00h	55.0 нс 22.00, CL = 5 18.33, CL = 4 14.86, CL = 3
	42, 40	69h, 00h	105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3
	43	80h	8.0 нс
Номер ревізії SPD	62	23h	Ревізія 2.3(?)
Контрольна сума байт 0-62	63	BFh	191 (вірно)
	64-71	7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h	OCZ
Part Number модуля	73-90	-	OCZ2T8001G
Дата виготовлення модуля	93-94	06h, 26h	2006 рік, 38 тиждень
Серійний номер модуля	95-98	00h, 00h, 00h, 00h	НЕ визначено

За даними SPD, значення затримки сигналу CAS#, що підтримуються, становлять 5, 4 і 3. Першому значенню (CL X = 5) відповідає період синхросигналу 2.5 нс (частота 400 МГц), тобто. режим DDR2-800 Схема таймінгів для цього випадку не повністю представляється цілими значеннями і може бути записана у вигляді 5-5-5-14.8, що з урахуванням найімовірнішого округлення у велику сторону відповідає стандартній схемі 5-5-5-15. Зменшеній величині затримки CAS# (CL X-1 = 4) відповідає режим DDR2-667 (час циклу 3.0 нс, частота 333.3 МГц) з нецілою схемою таймінгів 4-4.17-4.17-12.33, яку з урахуванням округлення можна записати у вигляді 4 5-5-13. Нарешті, двічі зменшеної величини затримки CAS# (CL X-2 = 3) відповідає дещо помилковий, але поширений запис режиму DDR2-533 з часом циклу 3.7 нс (частота 270.3 МГц) замість номінального значення 3.75 нс (частота 266.7 МГц). Схема таймінгів для цього випадку – 3-3.37-3.37-10, з урахуванням округлення – 3-4-4-10.

Ідентифікаційний код виробника, дата виготовлення та Part Number модуля вказані правильно, в той час як інформація про серійному номерімодуля відсутня. До того ж, дещо насторожує дивне значення ревізії SPD 23h, що формально відповідає неіснуючому номеру ревізії стандарту «2.3».

Оскільки дані модулі підтримують розширення EPP, розглянемо тепер інформацію, що міститься в цій "нестандартній" частині SPD, представленої байтами 99-127 вмісту SPD.

Параметр	Байт(и) (біти)	Значення	Розшифровка
Рядок ідентифікації EPP	99-101	4E566Dh	Є підтримка SPD EPP
Тип профілів EPP	102	A1h	Скорочені профілі
	103 (1:0)	00h	Профіль 0
Використовувані профілі	103 (7:4)	01h	Профіль 0: присутній Профіль 1: відсутній Профіль 2: відсутній Профіль 3: відсутній
Профіль №0
Рівень напруги живлення	104 (6:0)	08h	2.0 V
Затримка передачі адреси (Addr CMD rate)	104 (7)	00h	1T
Час циклу (t CK)	105	25h	2.50 нс (400.0 МГц)
Затримка CAS # (t CL)	106	10h	4
Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD)	107	28h	10.0 нс (4.0)
Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP)	108	28h	10.0 нс (4.0)
Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS)	109	25h	37.0 нс (14.8)

Інформація EPP представлена ​​у вигляді скорочених профілів, максимально можлива кількість яких - 4, тоді як реально присутні дані лише про перший із цих профілів (профіль №0), який, природно, відзначений як «оптимальний». Інформація, що міститься в цьому скороченому профілі, дуже нечисленна і повністю представлена ​​в таблиці вище. Це дані про напругу живлення модулів - 2.0 V, величину затримок командного інтерфейсу (1T), часу циклу (2.5 нс, частота шини пам'яті 400 МГц, режим DDR2-800) і стандартні таймінги (4-4-4-14.8, з урахуванням округлення 4-4-4-15). Додаткові параметритонкого налаштування тимчасових та електричних характеристик функціонування підсистеми пам'яті у вмісті «скороченого» профілю EPP відсутні, що, на наш погляд, ставить під сумнів його основні переваги. Ймовірно, виробник модулів просто не приділив належної уваги тонкому налаштуванніцих показників. До чого це призвело, ми побачимо далі, в ході нашого дослідження модулів, а поки що перейдемо до розгляду SPD наступного представника.

OCZ DDR2 PC2-7200

Параметр	Байт	Значення	Розшифровка
Фундаментальний тип пам'яті	2	08h	DDR2 SDRAM
Загальна кількість адресних ліній рядка модуля	3	0Eh	14 (RA0-RA13)
Загальна кількість адресних ліній стовпця модуля	4	0Ah	10 (CA0-CA9)
Загальна кількість фізичних банків модуля пам'яті	5	61h	2 фізичні банки
Зовнішня шина даних модуля пам'яті	6	40h	64 біт
Рівень напруги живлення	8	05h	SSTL 1.8V
Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (t CK) за максимальної затримки CAS# (CL X)	9	25h	2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфігурації модуля	11	00h	Non-ECC
Тип та спосіб регенерації даних	12	82h	7.8125 мс - 0.5x скорочена саморегенерація
Ширина зовнішнього інтерфейсушини даних (тип організації) мікросхем пам'яті, що використовуються	13	08h	x8
Ширина зовнішнього інтерфейсу шини даних (тип організації) мікросхем пам'яті ECC-модуля, що використовуються.	14	00h	НЕ визначено
Тривалість пакетів, що передаються (BL)	16	0Ch	BL = 4, 8
Кількість логічних банків кожної мікросхеми у модулі	17	04h	4
Тривалість затримки CAS# (CL), що підтримується.	18	38h	CL = 5, 4, 3
Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (tCK) при зменшеній затримці CAS# (CL X-1)	23	3Dh	3.75 нс (266.7 МГц)
Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (tCK) при зменшеній затримці CAS# (CL X-2)	25	00h	НЕ визначено
Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP)	27	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не визначено, CL = 3
Мінімальна затримка між активізацією сусідніх рядків (t RRD)	28	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не визначено, CL = 3
Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD)	29	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не визначено, CL = 3
Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS)	30	25h	37.0 нс 14.80, CL = 5 9.87, CL = 4 Не визначено, CL = 3
Ємність одного фізичного банку модуля пам'яті	31	80h	512 МБ
Період відновлення після запису (t WR)	36	3Ch	15.0 нс 6.00, CL = 5 4.00, CL = 4 Не визначено, CL = 3
Внутрішня затримка між командами WRITE та READ (t WTR)	37	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не визначено, CL = 3
Внутрішня затримка між командами READ та PRECHARGE (t RTP)	38	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не визначено, CL = 3
Мінімальний час циклу рядка (t RC)	41, 40	37h, 00h	55.0 нс 22.00, CL = 5 14.86, CL = 4 Не визначено, CL = 3
Період між командами саморегенерації (t RFC)	42, 40	69h, 00h	105.0 нс 42.00, CL = 5 28.38, CL = 4 Не визначено, CL = 3
Максимальна тривалість періоду синхросигналу (t CK max)	43	80h	8.0 нс
Номер ревізії SPD	62	12h	Ревізія 1.2
Контрольна сума байт 0-62	63	2Ah	42 (вірно)
Ідентифікаційний код виробника JEDEC	64-71	7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h	OCZ
Part Number модуля	73-90	-	OCZ2N900SR1G
Дата виготовлення модуля	93-94	00h, 00h	НЕ визначено
Серійний номер модуля	95-98	00h, 00h, 00h, 00h	НЕ визначено

Підтримувані значення затримки сигналу CAS# - 5, 4 і 3, проте значення періодів синхросигналу вказані лише перших двох значень: основного (CL X = 5) і зменшеного (CL X-1 = 4). Перше значення (CL X = 5) відповідає період синхросигналу 2.5 нс (частота 400 МГц), тобто. режим DDR2-800 Схема таймінгів для цього випадку може бути записана у вигляді нецілих значень 5-5-5-14.8 з урахуванням найбільш ймовірного округлення у велику сторону - 5-5-5-15. Другому значенню (CL X-1 = 4) відповідає дещо застарілий режим DDR2-533 (час циклу 3.75 нс, частота 266.7 МГц) з нецілою схемою таймінгів 4-3.33-3.33-9.87, яку з урахуванням округлення можна записати у вигляді 4 -4-10. Як ми вже зазначали вище, двічі зменшеною величиною затримки CAS# (CL X-2 = 3) не відповідає будь-який осмислений режим функціонування модулів, що безперечно є помилкою.

Ідентифікаційний код виробника та Part Number модуля вказані правильно, проте інформація про дату виготовлення та серійний номер модулів відсутня. Дані модулі також підтримують розширення EPP, тому розглянемо нижче інформацію, що міститься у цій частині SPD.

Параметр	Байт(и) (біти)	Значення	Розшифровка
Рядок ідентифікації EPP	99-101	4E566Dh	Є підтримка SPD EPP
Тип профілів EPP	102	B1h	Розширені профілі
Профіль оптимальної продуктивності	103 (1:0)	01h	Профіль 1
Використовувані профілі	103 (7:4)	03h	Профіль 0: присутній Профіль 1: присутній
Профіль №0
Рівень напруги живлення	104 (6:0)	14h	2.3 V
Затримка передачі адреси (Addr CMD rate)	104 (7)	01h	2T
Час циклу (t CK)	109	22h	2.20 нс (454.5 МГц)
Затримка CAS # (t CL)	110	10h	4
Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD)	111	23h	8.75 нс (3.98)
Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP)	112	19h	6.25 нс (2.84)
Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS)	113	21h	33.0 нс (15.00)
Період відновлення після запису (t WR)	114	28h	10.0 нс (4.55)
Мінімальний час циклу рядка (t RC)	115	32h	50.0 нс (22.73)
Профіль №1
Рівень напруги живлення	116 (6:0)	14h	2.3 V
Затримка передачі адреси (Addr CMD rate)	117 (7)	01h	2T
Час циклу (t CK)	121	22h	2.20 нс (454.5 МГц)
Затримка CAS # (t CL)	122	10h	4
Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD)	123	21h	8.25 нс (3.75)
Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP)	124	19h	6.25 нс (2.84)
Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS)	125	1Fh	31.00 нс (14.09)
Період відновлення після запису (t WR)	126	30h	12.00 нс (5.45)
Мінімальний час циклу рядка (t RC)	127	2Ch	44.00 нс (20.00)

Вміст EPP виглядає дуже цікавим. На відміну від розглянутих вище модулів OCZ DDR2 PC2-6400 з «скороченими» профілями EPP, модулі OCZ DDR2 PC2-7200 містять у своїй частині EPP інформацію про два «розширені» профілі (№0 і №1), обидва з яких є дійсними , але відповідають... приблизно одному й тому режиму функціонування(!), крім незначних відмінностей. А саме, в обох профілях робочим режимом модулів є режим «DDR2-900» (частота - приблизно 454.5 МГц, час циклу 2.2 нс) з напругою живлення 2.3 V (що відповідає специфікаціям виробника) і величиною затримок командного інтерфейсу 2T. Дещо розрізняються лише схеми основних таймінгів пам'яті, які в першому випадку можна подати у вигляді 4-3.98-2.84-15 (4-4-3-15 при округленні у велику сторону), а в другому - як 4-3.75-2.84-14.09 . При округленні цих значень також виходить схема 4-4-3-15 (збігається з заявленою виробником), проте профілі EPP також дещо різняться за значеннями інших таймінгів на кшталт t WR і t RC . Як би там не було, «оптимальним» профілем обрано профіль №1.

Вміст SPD модулів OCZ DDR2 PC2-7200 (включаючи розширення EPP) явно відрізняється від вмісту SPD (і EPP) розглянутих вище модулів OCZ DDR2 PC2-6400. Так чи інакше, в обох випадках спостерігаються неточності, а то й очевидні помилки. Таким чином, підхід компанії OCZ до програмування даних SPD виявляється досить своєрідним, якщо не сказати - дуже недбалим. Насамкінець, розглянемо вміст SPD останнього представника - модулів OCZ DDR2 PC2-8000, який представлений лише «стандартною» частиною через відсутність підтримки розширень EPP.

OCZ DDR2 PC2-8000

Параметр	Байт	Значення	Розшифровка
Фундаментальний тип пам'яті	2	08h	DDR2 SDRAM
Загальна кількість адресних ліній рядка модуля	3	0Eh	14 (RA0-RA13)
Загальна кількість адресних ліній стовпця модуля	4	0Ah	10 (CA0-CA9)
Загальна кількість фізичних банків модуля пам'яті	5	61h	2 фізичні банки
Зовнішня шина даних модуля пам'яті	6	40h	64 біт
Рівень напруги живлення	8	05h	SSTL 1.8V
Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (t CK) за максимальної затримки CAS# (CL X)	9	25h	2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфігурації модуля	11	00h	Non-ECC
Тип та спосіб регенерації даних	12	82h	7.8125 мс - 0.5x скорочена саморегенерація
Ширина зовнішнього інтерфейсу шини даних (тип організації) мікросхем пам'яті, що використовуються	13	08h	x8
Ширина зовнішнього інтерфейсу шини даних (тип організації) мікросхем пам'яті ECC-модуля, що використовуються.	14	00h	НЕ визначено
Тривалість пакетів, що передаються (BL)	16	0Ch	BL = 4, 8
Кількість логічних банків кожної мікросхеми у модулі	17	04h	4
Тривалість затримки CAS# (CL), що підтримується.	18	38h	CL = 5, 4, 3
Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (tCK) при зменшеній затримці CAS# (CL X-1)	23	30h	3.00 нс (333.3 МГц)
Мінімальна тривалість періоду синхросигналу (tCK) при зменшеній затримці CAS# (CL X-2)	25	37h	3.70 нс (270.3 МГц)
Мінімальний час підзарядки даних у рядку (t RP)	27	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3
Мінімальна затримка між активізацією сусідніх рядків (t RRD)	28	28h	10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3
Мінімальна затримка між RAS# та CAS# (t RCD)	29	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3
Мінімальна тривалість імпульсу сигналу RAS # (t RAS)	30	25h	37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3
Ємність одного фізичного банку модуля пам'яті	31	80h	512 МБ
Період відновлення після запису (t WR)	36	3Ch	15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3
Внутрішня затримка між командами WRITE та READ (t WTR)	37	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3
Внутрішня затримка між командами READ та PRECHARGE (t RTP)	38	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3
Мінімальний час циклу рядка (t RC)	41, 40	36h, 00h	54.0 нс 21.60, CL = 5 18.00, CL = 4 14.59, CL = 3
Період між командами саморегенерації (t RFC)	42, 40	69h, 00h	105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3
Максимальна тривалість періоду синхросигналу (t CK max)	43	80h	8.0 нс
Номер ревізії SPD	62	12h	Ревізія 1.2
Контрольна сума байт 0-62	63	DAh	218 (вірно)
Ідентифікаційний код виробника JEDEC	64-71	7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h	OCZ
Part Number модуля	73-90	-	OCZ2TA1000VX21G
Дата виготовлення модуля	93-94	00h, 00h	НЕ визначено
Серійний номер модуля	95-98	00h, 00h, 00h, 00h	НЕ визначено

Вміст SPD цих модулів приблизно збігається з таким для першого зразків, що вивчаються - модулів OCZ DDR2 PC2-6400. Підтримувані значення затримки сигналу CAS# становлять 5, 4 і 3. Перше значення (CL X = 5) відповідає період синхросигналу 2.5 нс (частота 400 МГц), тобто. режим DDR2-800 Схема таймінгів для цього випадку записується у вигляді 5-5-5-14.8 (5-5-5-15). Зменшеній величині затримки CAS# (CL X-1 = 4) відповідає режим DDR2-667 (час циклу 3.0 нс, частота 333.3 МГц) зі схемою таймінгів 4-4.17-4.17-12.33 (4-5-5-13). Нарешті, двічі зменшеної величини затримки CAS# (CL X-2 = 3) відповідає дещо хибний, але поширений запис режиму DDR2-533 з часом циклу 3.7 нс (частота 270.3 МГц). Схема таймінгів для цього випадку – 3-3.37-3.37-10.0 (3-4-4-10).

Ідентифікаційний код виробника та Part Number модуля вказані правильно; дані про дату виготовлення та серійний номер модуля відсутній.Конфігурація тестового стенду

Стенд №1

• Процесор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), номінальна частота 2.4 ГГц (200 x12)
• Чіпсет: NVIDIA nForce 590 SLI
• Материнська плата: ASUS CROSSHAIR, версія BIOS 0502 від 01/02/2007

Результати дослідження

Випробування модулів OCZ проводилося на платформі AMD (процесор Athlon 64 X2 4800+) материнською платою ASUS CROSSHAIR(), що підтримує стандарт EPP. У всіх випадках випробування модулів проводилися у двох режимах:

1. Номінальний: штатна частота процесора, частота пам'яті 400 МГц (DDR2-800), стандартне налаштуванняПідсистеми пам'яті за даними SPD інформація профілів EPP не використовується.

2. Оптимальний, відповідний використанню «оптимального» профілю EPP, що допускає розгін процесора (до 15%) для досягнення максимальної рекомендованої частоти пам'яті. Для модулів OCZ DDR2 PC2-8000, які не підтримують EPP, налаштування частоти процесора та пам'яті в цьому випадку проводилося вручну.

OCZ DDR2 PC2-6400

Параметр
Частота процесора, МГц (Частота FSB x FID)	2400 (200x12)	2400 (200x12)
Частота пам'яті, МГц (DDR2 МГц)	400 (800)	400 (800)
	5-5-5-15-2T, 1.8 V	4-4-4-15-1T, 2.0 – 2.3 V
	4-4-3-2T, 2.2 V	-
Середня ПСП читання (ГБ/с), 1 ядро	3.94 (4.06)	-
Середня ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро	3.27 (3.10)	-
Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 1 ядро	7.84 (7.99)	-
Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро	6.94 (6.93)	-
Середня ПСП читання (ГБ/с), 2 ядра	6.65 (6.98)	-
Середня ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра	3.96 (4.05)	-
Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 2 ядра	8.65 (9.33)	-
Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра	6.46 (6.61)	-
	28.1 (26.7)	-
	80.7 (78.4)	-

* Розмір блоку 32 МБ

Почнемо з розгляду результатів тестування модулів пам'яті OCZ DDR2 PC2-6400, для яких виробником заявлено функціонування в режимі DDR2-800 з таймінгами 4-4-4-15 та, що найважливіше, затримками командного інтерфейсу 1T. Стандартні таймінги для цих модулів, як видно з наведеної вище таблиці, що виставляються BIOS материнськоїплати за замовчуванням, становлять 5-5-5-15-2T, які швидкісні показники перебувають у рівні, типовому для DDR2-800 за даної частоті процесора (2.4 ГГц). Підняття напруги живлення до 2.2 V дозволяє знизити схему таймінгів до 4-4-3 (як і переважна більшість інших модулів DDR2, розглянуті модулі не чутливі до зміни останнього стандартного параметрасхеми таймінгів t RAS), проте величина затримок командного інтерфейсу, як і раніше, повинна залишатися на рівні 2T. Спроби використання жорсткішої схеми таймінгів 4-3-3-2T, а також режиму 1T при будь-яких значеннях таймінгів призводили до виникнення помилок підсистеми пам'яті.

Таким чином, модулі OCZ DDR2 PC2-6400, розраховані на функціонування в режимі DDR2-800 4-4-4-15-1T, виявилися нездатними на роботу в такому режимі. Не врятувало положення та використання даних профілю EPP (не дивно, адже вміст EPP у даних модулях представлений лише одним «скороченим» профілем, що не дозволяє налаштувати додаткові тонкі параметри тимчасового та електричного характеру), навіть при спробі підняття напруги живлення аж до 2.3 V.

OCZ DDR2 PC2-7200

Параметр
Частота процесора, МГц (Частота FSB x FID)	2400 (200x12)	2736 (228x12)
Частота пам'яті, МГц (DDR2 МГц)	400 (800)	456 (912)
Таймінги за промовчанням, напруга	5-5-5-15-2T, 1.8 V	4-4-3-15-2T, 2.2 V
Мінімальні таймінги пам'яті, напруга	4-3-3-1T, 2.3 V	-
Середня ПСП читання (ГБ/с), 1 ядро	3.94 (4.12)	4.56
Середня ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро	3.30 (3.42)	3.84
Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 1 ядро	7.83 (8.13)	9.04
Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро	6.94 (6.79)	7.88
Середня ПСП читання (ГБ/с), 2 ядра	6.65 (7.14)	7.79
Середня ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра	3.93 (4.51)	4.82
Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 2 ядра	8.69 (9.82)	10.26
Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра	6.46 (6.69)	7.52
Мінімальна латентність псевдовипадкового доступу (нс)	28.1 (25.7)	23.9
Мінімальна латентність випадкового доступу * (нс)	80.2 (78.3)	67.9

* Розмір блоку 32 МБ

При запуску модулів OCZ DDR2 PC2-7200 у штатному режимі DDR2-800 материнська плата ASUS CROSSHAIR, що бере участь у наших тестах, як і в попередньому випадку, також виставляє схему таймінгів 5-5-5-15-2T. Швидкісні показники модулів PC2-7200 у цьому режимі близькі до швидкісних показників модулів PC2-6400, розглянутих вище. Найбільш цікаво те, що при піднятті напруги модулів (до 2.3 V) вони дозволяють досягти схему таймінгів 4-4-3 при величині затримок командного інтерфейсу 1T, чим різко відрізняються від розглянутих вище модулів PC2-6400, для яких режим 1T заявлено офіційно( !). Більш того, у нашому випадку виявилося можливим запустити модулі, що розглядаються, і при схемі таймінгів 3-3-3-1T, проте це призводило до виникнення помилок.

Застосування "оптимального" профілю EPP призвело до виставлення частоти "системної шини" процесора 228 МГц, що відповідає частоті шини пам'яті 228x2 = 456 МГц (режим "DDR2-912", дещо завищений у порівнянні з номінальним "DDR2-900") при частоті приблизно 2.74 ГГц (для стабільності, напруга на ядрі процесора було вручну піднято рівня 1.5 V). Застосовувана схема таймінгів при цьому склала значення 4-4-3-15-2T, що відповідають заявленим виробником. Розглянуті модулі пам'яті виявилися працездатними в такому режимі, проте подальше зменшення таймінгів (крім параметра t RAS, що ігнорується), а також зниження затримок командного інтерфейсу до 1T призводило до непрацездатності підсистеми пам'яті.

OCZ DDR2 PC2-8000

Параметр
Частота процесора, МГц (Частота FSB x FID)	2400 (200x12)	2500 (250x10)
Частота пам'яті, МГц (DDR2 МГц)	400 (800)	500 (1000)
Таймінги за промовчанням, напруга	5-5-5-15-2T, 1.8 V	5-5-5-15-2T, 2.3 V
Мінімальні таймінги пам'яті, напруга	4-3-3-1T, 2.3 V	4-4-4-2T, 2.3 V
Середня ПСП читання (ГБ/с), 1 ядро	3.90 (4.13)	4.35 (4.48)
Середня ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро	3.28 (3.33)	3.61 (3.75)
Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 1 ядро	7.79 (8.13)	8.40 (8.50)
Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 1 ядро	6.94 (6.79)	7.19 (7.21)
Середня ПСП читання (ГБ/с), 2 ядра	6.60 (7.14)	7.52 (7.79)
Середня ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра	4.08 (4.46)	4.70 (5.11)
Макс. ПСП на читання (ГБ/с), 2 ядра	8.61 (9.82)	10.37 (11.01)
Макс. ПСП на запис (ГБ/с), 2 ядра	6.48 (6.70)	6.92 (7.04)
Мінімальна латентність псевдовипадкового доступу, нс	28.6 (25.7)	24.5 (23.2)
Мінімальна латентність випадкового доступу *, нс	80.6 (78.4)	72.1 (67.8)

* Розмір блоку 32 МБ

При експлуатації останніх з модулів OCZ DDR2 PC2-8000, що розглядаються нами, в офіційному режимі DDR2-800 на материнській платі ASUS CROSSHAIR також вибирається за умовчанням схема таймінгів 5-5-5-15-2T. Як і у випадку модулів PC2-7200 (але не PC2-6400), збільшення напруги модулів до 2.3 V дозволяє знизити цю схему до значень 4-3-3 (подальше зниження до 3-3-3 призводить до виникнення помилок), а величину затримок командного інтерфейсу – до 1T. Швидкісні показники модулів PC2-8000 і PC2-7200 у разі практично збігаються.

Оскільки модулі OCZ DDR2 PC2-8000 не підтримують розширення EPP, режим DDR2-1000 був встановлений вручну за рахунок збільшення частоти «системної шини» до 250 МГц для досягнення частоти шини пам'яті 500 МГц при частоті процесора 2.5 ГГц (250x10). Мінімальна схема таймінгів, яку вдалося досягти в цих умовах, склала 4-4-4-2T при напругі живлення модулів 2.3 V, що збігається зі значеннями, заявленими виробником (спроба виставлення нижчих значень практично моментально призводила до непрацездатності системи).

Протестовані представники модулів пам'яті високошвидкісних серій від OCZ – PC2-6400, PC2-7200 та PC2-8000 справили досить неоднозначні враження. Найменш приємні з них полягають у досить недбалому підході виробника до програмування вмісту SPD (зокрема, розширень EPP), що може позначитися на сумісності модулів пам'яті з різними материнськими платами. Більш того, перший з цих представників - модулі пам'яті PC2-6400 - виявилися непрацездатними в штатному режимі при величині затримок командного інтерфейсу 1T, офіційно заявленої виробником (принаймні, на материнській платі ASUS CROSSHAIR, що використовується нами). З приємних моментів можна відзначити працездатність двох інших представників - модулів серії PC2-7200 SLI-Ready Edition і PC2-8000 Titanium Alpha VX2 в штатному режимі DDR2-800 при досить екстремальній схемі таймінгів 4-3-3 і величині затримок командного інтерфейсу , що не типово більшість 2-ГБ двухканальных комплектів модулів пам'яті на платформі AMD «AM2». У той же час, у «неофіційних» режимах («DDR2-900» та «DDR2-1000», відповідно) модулі цих серій, мабуть, виявляються розігнаними до краю, оскільки подальше зменшення схеми таймінгів, а також зниження затримок командного інтерфейсу до 1T неможливо. Однак саме собою стійке функціонування модулів PC2-7200 і PC2-8000 в максимально швидкісних режимах, враховуючи ситуацію з модулями PC2-6400, що вже виникла, вже можна вважати плюсом цих серій продукції компанії OCZ.

Максим Бабенков

Компанія OCZ Technology Co, Ltd, що спеціалізується на випуску будь-яких типів пам'яті, ще у вересні минулого року представила серію ATI Certified, до якої входять модулі пам'яті PC2-5400 і PC2-6400 з різним обсягом. Пам'ять може постачатися як модулями по 1 Гбайт, так і комплектами по два модулі для використання у двоканальному режимі. Такий варіант постачання виглядає найактуальнішим з урахуванням вимог сучасних ігрових програм.

На російському ринку модулі цієї серії з'явилися порівняно недавно, тому ми раді були можливості їх протестувати. У цій статті ми розглянемо один із комплектів модулів пам'яті стандарту PC2-6400 (DDR2-800), що відноситься до цієї серії - OCZ2A8002GK.

Модулі пам'яті ATI Certified позиціонуються виробником для екстремальних геймерів і протестовані відповідно до сертифікаційної програми ATI. Виробником не тільки заявлено високий рівеньпродуктивності та надійності модулів, але й гарантована їхня відмінна сумісність з технологією CrossFire. Особливістю всіх модулів OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel є використання системи охолодження, що давно вже добре зарекомендувала себе, в якості якої застосовується радіатор XTC (Xtreme Thermal Convection) з логотипом ATI Certified. Він виконаний з алюмінію та пофарбований у червоний колір. Пластини радіатора встановлені по обидва боки модуля. Монтаж чіпів пам'яті виконано на обох сторонах друкованої плати. Радіатор XTC дозволяє ефективно відводити тепло від гарячих модулів, підвищуючи тим самим їхню довговічність та стабільність їхньої роботи.

Комплект модулів оперативної пам'яті OCZ2A8002GK складається з кількох планок об'ємом по 1024 Мбайт кожна. Кожен модуль заснований на 16 мікросхем по 64 Мбайт. Як мікросхеми пам'яті застосовуються FBGA-чіпи з маркуванням OCZ X42P1208401-3. Модулі працюють у двоканальному режимі на частоті 800 МГц при таймінгах 4-4-4-15 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Номінальна напруга живлення становить 2,1 В. Завдяки технології компанії OCZ під назвою EVP (Extended Voltage Protection) напруга може бути трохи підвищена - до 2,2 ±5%. Зауважимо, що підвищення напруги не позбавляє користувача фірмової довічної гарантії на модулі.

У ході тестування дані модулі пам'яті працювали не тільки на заявлених штатних параметрах, але і при агресивніших налаштуваннях частоти та таймінгах. Найвища частота OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel, при якій нам вдалося запустити систему, склала 930 МГц при таймінгах 4-4-4-14.

Стенд для тестування модулів пам'яті мав таку конфігурацію:

Процесор - Intel Core 2 Extreme Edition QX6700 (тактова частота – 2,66 ГГц, кеш L2 – 4 Мбайт);

Материнська плата – MSI P6N SLI Platinum;

Чіпсет - NVIDIA nForce 650i SLI (C55 SPP + nForce 430 MCP);

Частота – 133-750 МГц (з кроком 1 МГц);

Відеокарта – ATI Radeon X1900XTX.

Тестування проводилося під керуванням операційної системи Windows Professional SP2 з усіма встановленими на Наразіоновлення. Як тести застосовувалися різні синтетичні тестові утиліти, що входять до пакетів SiSoftware Sandra, Everest Ultimate Edition та Right Mark Memory Analyzer. Крім синтетичних тестів на згадку використовувався додаток 3Dmark 2006, що дозволяє оцінити стабільність системи та побачити, як вплинуть різні режими роботи пам'яті на результати реальних додатків.

Зауважимо, що результати тестування модулів пам'яті варто розглядати разом із конкретними чіпсетом та моделлю. материнської платиоскільки на інших платформах модулі пам'яті можуть проявити себе зовсім по-іншому.

Результати тестування модулів пам'яті OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel при частоті 800 та 930 МГц наведено у таблиці.

Результати тестування модулів пам'яті
OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel

Режими роботи пам'яті			800 МГц, 4-4-4-15	930 МГц, 4-4-4-14
RightMark Memory Analyzer 3.72	RAM Performance, Stream, Мбайт/с
	Average Memory Bandwidth, SSE2, Мбайт/с
	Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2, Мбайт/с
	Average RAM Latency, нс	Forward Read Latency
		Backward Read Latency
		Random Read Latency
		Pseudo-Random Read Latency
	Minimal RAM Latency, 32 Mbyte Block, L1 Cache line, нс	Forward Read Latency
		Backward Read Latency
		Random Read Latency
		Pseudo-Random Read Latency
SiSoftware Sandra Lite 2007.5.11.35	Memory Bandwidth Int ALU, Мбайт/с
	Memory Bandwidth Float FPU, Мбайт/с
	Memory Latency (Linear), нс
	Memory Latency (Random), нс
	Combined Index, Мбайт/с
Everest Ultimate Edition 2006 3.50.761	Read, Мбайт/с
	Write, Мбайт/с
	Copy, Мбайт/с

З результатів тестування модулів OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel очевидно, що при збільшенні частоти роботи пам'яті та збереженні відповідних таймінгів спостерігається збільшення пропускну здатністьпам'яті та зниження латентності. З іншого боку, приріст відзначається у синтетичних тестах, а й у інших додатках. Якщо раніше ми підкреслювали, що значно більший вплив на продуктивність пам'яті зменшує таймінг пам'яті, ніж збільшення тактової частоти, то в даному випадку ситуація дещо інша. Нам просто не вдалося за частоти роботи 800 МГц розігнати пам'ять по таймінгах. Щоправда, частотою пам'ять чудово розганялася, дозволяючи при цьому не погіршувати параметри таймінгів. Саме внаслідок цього спостерігалося підвищення пропускної спроможності пам'яті та зниження латентності при повному збереженні стабільності роботи системи.

Редакція подякує російському представництву компанії OCZ Technology (http://www.ocztechnology.com) за наданий для тестування комплект модулів пам'яті OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel.

Навряд чи хтось із оверклокерів на сьогоднішній день має сумніви у виборі типу оперативної пам'яті для нової платформи. Те, що DDR SDRAM залишилося недовго бути присутнім на ринку, можна оскаржити з великими труднощами. Порівняна, або мінімально відрізняється від DDR у більшу сторону вартість DDR2 модулів, масове поширення платформ AMD, що стали улюбленими народом, з Socket AM2, величезний асортимент DDR2 SDRAM для будь-яких вимог і гаманців, і, нарешті, поступова популяризація серед оверклокерів платформ з Intel Core 2 Duo основними, але не єдиними причинами зниження затребуваності DDR пам'яті.

У сьогоднішньому матеріалі ми пропонуємо до вашої уваги огляд та тестування дев'яти пар модулів оперативної пам'яті об'ємом 2 х 1Gb від одного із законодавця мод на ринку SDRAM – компанії OCZ Technology.

реклама

На питання, чому обрано обсяг модулів саме в 1 Gb, гадаю, відповідь очевидна. Постійно зростаючі вимоги програмного забезпеченнята ігор до апаратних ресурсів комп'ютера в даний час призвели до мінімально рекомендованого обсягу встановленої пам'ятіу системі рівному 2 Gb. Я не стверджую, що на 1 Gb ви не зможете грати у сучасні ігри. Чи зможете. Навіть на 512 Мб, швидше за все, зможете їх запустити, ось тільки про комфорт у грі при цьому можна забути. Крім того, за попередніми оцінками, щоб комфортно грати у надпопулярній ще до свого виходу Windows Vista, необхідно вже навіть не два, а, швидше за все, цілих чотири гігабайти пам'яті.

На додаток, як на мене, при придбанні нового системного блокута обмеженості в засобах перспективніше взяти не 2 модулі по 512 Mb, а один об'ємом в 1 Gb. Через деякий час, докупивши другий такий же модуль, ви не тільки виграєте в ціні, а й у стабільності та розгоні, тому що всім оверклокерам відомо, що платформа з чотирма встановленими модулямимає нижчий оверклокерський потенціал, ніж з парою.

Мабуть, ліричних відступів і застережень достатньо.

1. Тестова конфігурація, інструментарій та методика тестування

Вся оперативна пам'ятьтестувалася лише у двоканальному режимі на наступній конфігурації системного блоку:

• Материнська плата: ASUSTek P5B Deluxe/WiFi-AP (Intel P965), LGA 775, BIOS 0804;
  • на чіпсеті встановлений кулер Cooler Master Blue Ice Pro (~4500 RPM, 22 ~ 26 dBA);
• Процесор: Intel Core 2 Duo E6400 2133 MHz, 1325 V, L2 2 x 1024 Kb, FSB: 266 MHz x 4, SL9S9 Malay (Conroe, B2);
• Система охолодження CPU: Noctua NH-U12F з парою 120-мм вентиляторів NF-R12 на ~800 RPM (2 х 8 dBA);
• Термоінтерфейс: Noctua;
• Відеокарта: Chaintech GeForce 7950 GX2 2 x 512 Mb (default = 500/1200 MHz), @ 580/1580 MHz;
• Дискова підсистема: SATA-II 320 Гб, Hitachi (HDT725032VLA360), 7200 RPM, 16 Мб, NCQ;
• Корпус: ATX ASUS ASCOT 6AR2-B Black&Silver:
  • на вдування 120-мм корпусний вентилятор Noctua NF-S12 120-мм (~800 RPM, ~8 dBA);
  • на видування на задній стінці та на бічній стінці 120-мм корпусні вентилятори Sharkoon Luminous Blue LED (~1000 RPM, ~21 dBA);
• Блок живлення: MGE Magnum 500 (500 W) + 80-мм вентилятор GlacialTech SilentBlade (~1700 RPM, 19 dBA).

Вибір високопродуктивної пам'яті для настільного комп'ютера, справа досить копітка і відповідальна, що пов'язано в першу чергу з необхідністю забезпечення максимальної стабільності при роботі на високій частотіособливо при використанні позаштатних режимів, де критичним є кожен елемент комп'ютера, в тому числі і пам'ять. У секторі портативних комп'ютерів, дана проблемастоїть не так гостро, проте активний розвиток мобільних технологій, збільшення робочої частоти та скорочення внутрішнього простору ноутбука, вимагає не менш ретельного підходу при виборі пам'яті, що особливо стосується збирачів ноутбуків, які іноді, з метою економії встановлюють дешеву безіменну пам'ять, пояснюючи, що при роботі в штатному режимі ні чого не трапиться, в чому, безумовно, мають рацію, однак...

Ми, покупці дорогих ноутбуків, бажаємо, щоб наш мобільний помічник, не тільки дозволив би отримати максимум продуктивності, але і забезпечив максимальну стабільність в різних умовах використання.

Сьогодні ми познайомимо вас із пам'яттю OCZ серії Value, до якої входять модулі з оптимальним ставленням ціни та продуктивності. Незважаючи на досить низьку, для OCZ ціну, у цих модулях використовується ряд специфічних технологій, як наприклад, ULN2 PCB, яка помітно знижує рівень електричного шуму, що позитивно впливає на стабільність роботи, особливо в автономному режимі.

Отже, в нашому огляді бере участь три типи модулів пам'яті, призначені для використання в різних типахноутбуків: від ультра портативних моделей на основі технології Centrino, до високопродуктивних моделей класу заміна настільного ПК, на основі мобільних версій настільних рішень та на основі сучасних технологій Sonoma та AMD Turion™ 64, у яких використовується швидка пам'ять DDR2-533 та DDR333/400 відповідно.

Перш ніж ми приступимо до вивчення можливостей представлених модулів пам'яті, ми хотіли б зробити кілька зауважень щодо можливостей настроювання параметрів пам'яті в ноутбуці. Практично у всіх моделях ноутбуків у BIOS відсутня можливість налаштовувати параметри пам'яті, що дозволило б скористатися всіма перевагами більш швидких та якісних модулів OCZ. Тому, єдина перевага, яку ви отримаєте від використання пам'яті OCZ, - більша стабільність, менше виділення тепла, і відповідно збільшення часу автономної роботи.

OCZPC2700 ValueSeries

Пам'ять стандарту DDR333 на сьогоднішній день залишається однією з найпопулярніших у секторі портативних комп'ютерів. Цей тип пам'яті буде особливо актуальним при використанні в мейнстрім моделях ноутбуків, заснованих на класичній технології Centrino, де використовується пам'ять стандарту DDR266, яка помітно обмежує можливості сучасних високопродуктивних процесорів Pentium-M. Для вирішення цієї проблеми ми рекомендуємо використовувати пам'ять OCZ PC2700 Value Series.

Модулі пам'яті OCZ PC2700 Value Series засновані на чіпах Infuneon з низькими таймінгами (2.5-4-4-8), що дозволило збільшити продуктивність на ноутбуках, що використовують дані SPD.

До речі, результати наших тестів показують, що переклад платформи Centrino на згадку про DDR333 забезпечує помітний приріст продуктивності, який буде особливо помітний при використанні процесорів з частотою вище 2ГГц. Тут може виникнути питання, а чому б не використовувати відразу пам'ять DDR 400 - теоретично це дозволить досягти ще більшої продуктивності. На жаль, класична технологія Centrino підтримує лише DDR333, тому DDR ​​400 буде безглуздою.

OCZPC 3200 ValueSeries

Пам'ять стандарту DDR ​​400 на сьогоднішній день застосовується в деяких Hi-END ноутбуках, в основі яких лежать мобільні версіїнастільних чіпсетів і процесорів, як VIA K8T800 для процесора Mobile AMD Athlon™ 64, а також у нових платформах AMD Turion™ 64. Представлені модулі OCZ PC 3200 Value Series засновані на чіпах Samsung з низькими таймінгами

Порівняння продуктивності пам'яті OCZ PC 3200 Value Series з No-name модулями продемонстрували деяке збільшення продуктивності в більшості типів додатків, при використанні жорстко заданих параметрів синхронізації в BIOS. Якщо ваш ноутбук дозволяє використовувати дані SPD, або має можливість змінити параметри пам'яті, то ви отримаєте ще кілька відсотків при збереженні 100% стабільності.

На нашу думку, використання пам'яті OCZ PC 3200 Value Series є особливо актуальним у ноутбуках класу «Заміна настільного ПК», в яких використовуються мобільні версії настільних чіпсетів і процесорів. Тут ви зможете скористатися повним частотним потенціалом, що пропонується модулями OCZ PC 3200 Value Series.

OCZPC2 4200 ValueSeries

І, нарешті, новий для мобільного сектора тип пам'яті DDR2 533. Він використовується в складі нової мобільної технології Intel Sonoma, де може працювати як в одноканальному, так і в двох каналах, що дозволило помітно збільшити продуктивність порівняно з класичною технологією Centrino.

Для створення високопродуктивної та стабільної мобільної платформи OCZ пропонує використовувати модулі PC2 4200 Value Series. Дані модулі пам'яті засновані на високопродуктивних чіпах Elpda, які мають таймінги 4-4-4-8, що дозволяє припустити можливе збільшення продуктивності мобільної платформи.

Однак, враховуючи специфічні особливості BIOS, яка використовує жорстко задані частотні параметри, скористатися цими перевагами, поки не вийде, зате висока стабільність і знижене тепловиділення гарантовані, що позитивно позначиться на часі автономної роботи. Збільшення продуктивності буде помітним лише у разі примусової зміни за допомогою спеціальних утиліт, або в майбутніх моделях ноутбуків, де буде можливість використовувати повний потенціал модулів пам'яті. Хоча, як ви можете бачити, у цьому випадку збільшення продуктивності практично не помітне, що так само обумовлено специфічними особливостями пам'яті DDR2.

Висновок

Як ви могли помітити, продуктивність пам'яті OCZ не значно перевищує продуктивність інших модулів, у тому числі і No-name, що пов'язано з використанням жорстко заданих параметрів синхронізації, що обмежують можливості високопродуктивних чіпів пам'яті, а також деяких архітектурних особливостейсучасних ноутбуків (типу процесора та контролера пам'яті). Однак, як ми вже сказали вище, продуктивність у мобільній платформіне найголовніше, набагато важливіше - стабільність в автономному режимі, яка безпосередньо залежить і від якості пам'яті, де OCZ є безперечним лідером.

Дякуємо компанії «Svega Computer» за надані на тестування модулі пам'яті OCZ